Formaler Nachweis der Fehlertoleranz von Schaltkreisen

Konferenz: Zuverlässigkeit und Entwurf - 2. GMM/GI/ITG-Fachtagung
29.09.2008 - 01.10.2008 in Ingolstadt, Germany

Tagungsband: Zuverlässigkeit und Entwurf

Seiten: 8Sprache: DeutschTyp: PDF

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Autoren:
Fey, Görschwin; Sülflow, André; Frehse, Stefan; Kühne, Ulrich; Drechsler, Rolf (Fachbereich 3 – Mathematik und Informatik, Universität Bremen, 28359 Bremen)
Fey, Görschwin (VLSI Design & Education Center, Universität Tokio, Tokio, 113-8656, Japan)

Inhalt:
Moore’s Gesetz treibt schon seit Jahrzehnten die Halbleiterindustrie an: Die Anzahl der Komponenten, die in einem Schaltkreis integriert werden, nimmt exponentiell zu. Dies ist nur durch eine stetige Verringerung der Strukturgrößen möglich. Im Resultat nimmt der Einfluss von Schwankungen im Fertigungsprozess relativ zu absoluten Kenngrößen stetig zu. Eine mögliche Folge ist in Zukunft, dass unzuverlässige, ggf. fehlerhafte Komponenten, die Bausteine eines Schaltkreises sind. Eine weitere Konsequenz ist die zunehmende Anfälligkeit von Schaltkreisen gegenüber so genannten transienten Fehlern, die zum Beispiel durch Umgebungsstrahlung induziert werden.