Zum Parallelbetrieb von uni- und bipolaren Leistungshalbleitern – Anwendungsbereiche, Durchlass- und Schaltverhalten
Conference: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen - ETG-Fachtagung
10/10/2006 - 10/11/2006 at Bad Nauheim, Germany
Proceedings: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen
Pages: 11Language: germanTyp: PDF
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Authors:
Hoffmann, Klaus F.; Kärst, Jens Peter (Philips Medical Systems Hamburg, 22335 Hamburg, Germany)
Abstract:
Die gleichzeitige Verbesserung der Durchlass- und Schalteigenschaften leistungselektronischer Halbleiterventile in einem monolithischen Aufbau wird von allen Bauteil-Herstellern angestrebt. Allgemein werden heute unipolare Bauelemente (MOSFETs) für Anwendungen mit hoher, bipolare Bauelemente (IGBTs, IGCTs) für Anwendungen mit niedriger bis mittlerer Schaltfrequenz eingesetzt. Um die Leistungsdichte von Stromrichtersystemen zu erhöhen, sind in vielen Anwendungsbereichen Halbleiterschalter wünschenswert, welche die guten Leiteigenschaften der IGBTs mit dem schweifstromfreien Abschaltverhalten der MOSFETs verbinden und die Nachteile vermeiden. Der folgende Beitrag diskutiert den Parallelbetrieb von IGBT und MOSFET in hochfrequent getakteten, hart-schaltenden als auch resonanten Stromrichtern.