Transistor-Kompaktmodell mit korrelierten Rauschquellen für sehr hohe Frequenzen

Conference: ANALOG '06 - 9. ITG/GMM-Fachtagung
09/27/2006 - 09/29/2006 at Dresden, Germany

Proceedings: ANALOG '06

Pages: 6Language: englishTyp: PDF

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Authors:
Herricht, J.; Sakalas, P.; Chakravorty, A.; Schröter, M. (Professur Elektronische Bauelemente und Integrierte Schaltungen, TU Dresden, Mommsenstr. 13, 01062 Dresden)

Abstract:
Ein Kompaktmodell für Bipolartransistoren (BJT) mit Korrelation zwischen Basis- und Kollektorschrotrauschquelle wird vorgestellt. Auf der Grundlage einer mathematischen Transformation wird es möglich die zwischen den Quellen bestehende Korrelation in das BJT-Kompaktmodell HICUM zu implementieren. Die Umsetzung der Theorie erfolgt unter Verwendung der Hardware- Beschreibungssprache Verilog-AMS. Die Modellverifikation wird am kompilierten Verilog-AMS-Modell mit dem Schaltungssimulator ADS2004A vorgenommen. Die Simulationsergebnisse werden mit den gemessenen Rauschparametern für Hochfrequenz SiGe-HBT ( fTpeak = 150 GHz) verglichen. Es wurde eine sehr gute Übereinstimmung zwischen simulierten und gemessenen Daten erzielt.