Ein Messplatz für die Untersuchung von Halbleiterbauelementen bei sehr hohen Umgebungstemperaturen
Conference: ANALOG '08 - Entwicklung von Analogschaltungen mit CAE-Methoden - Schwerpunkt: Constraint-basierte Entwurfsmethoden - 10. GMM/ITG-Fachtagung
04/02/2008 - 04/04/2008 at Siegen
Proceedings: ANALOG '08
Pages: 6Language: germanTyp: PDF
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Authors:
Borthen, Peter; Wachutka, Gerhard (Lehrstuhl für Technische Elektrophysik, TU München)
Abstract:
In diesem Beitrag wird ein am Lehrstuhl für Technische Elektrophysik der Technischen Universität München entwickelter Messaufbau für die elektrische und thermische Charakterisierung von Halbleiterbauelementen in einem Temperaturbereich zwischen Raumtemperatur und 500 °C detailliert beschrieben. Neben der Gewinnung von temperaturabhängigen Kennlinien sollen mit dem Messaufbau Materialparameter wie die Ladungsträgerbeweglichkeiten, Raten für die Generation und Rekombination von Ladungsträgern, thermische Leitfähigkeiten wie auch andere Größen bestimmt werden. Die Funktionsweise des Messaufbaus wird an Messbeispielen gezeigt. Für einige der Messergebnisse werden auch Ergebnisse von Bauelementesimulationen präsentiert, bei denen neu entwickelte physikalische Hochtemperaturmodelle verwendet wurden.