Strukturierungstechnik zur Integration nanoskaliger Gräben für die Mikrosystemtechnik

Abstract:
Nanostrukturen lassen sich durch Schichtabscheidungen und Rückätzungen reproduzierbar und gleichmäßig auf großen Flächen erzeugen. Die verwendete Technik erlaubt dabei die Integration von Strukturen bis hinunter zu 25 nm Linienweite bei über 250 nm Strukturhöhe. Feinere Nanostrukturen sind durch Reduktion der Höhe ebenfalls möglich. Durch Bedampfung der Nanostrukturen mit Aluminium lässt sich die Struktur invertieren, sodass auch eine Integration von nanoskaligen Gräben möglich wird. Sie bieten eine alternative Bauform für Feldeffekt-Transistoren auf der Basis von Nanopartikeln, die in die Gräben eingefüllt und über Schottky-Kontakte angeschlossen werden. Erste Messergebnisse bestätigen die Funktion solcher Ein-Partikel-Transistoren.