MEMS/MST als Baustein von "More Than Moore" und die Realisierung im Wafer-Foundry-Business

Conference: MikroSystemTechnik - KONGRESS 2009
10/12/2009 - 10/14/2009 at Berlin

Proceedings: MikroSystemTechnik

Pages: 3Language: germanTyp: PDF

Personal VDE Members are entitled to a 10% discount on this title

Authors:
Schwarz, Uwe (X-FAB Semiconductor Foundries AG, Erfurt, Germany)

Abstract:
Bereits Mitte der sechziger Jahre hat Mr. Gordon Moore das nach ihm benannte "Mooresche Gesetz" niedergeschrieben. Danach verdoppelt sich die die Komplexität von Schaltkreisen im Laufe von zwei Jahren. Mitte der siebziger Jahre wurde diese Regel insofern geändert, da Mr. Moore seine Aussage korrigieren musste und feststellte, dass sich die Integrationsdichte von Halbleiterbauelementen bereits nach 18 Monaten verdoppelt. Heute geht man davon aus, dass dieses sogenannte "Moorsche Gesetz" mindestens bis 2029 Gültigkeit besitzt. Für die Halbleiterindustrie bedeutet dies, dass man in Strukturgrößenbereiche von 22 nm und kleiner vordringen wird und muss, um konkurrenzfähig zu bleiben. Dies ist mit enormen Aufwendungen und Kosten für neue Chipfabriken verbunden. Derartige Investitionen lohnen sich nur, wenn gewaltige Stückzahlen produziert und verkauft werden können. Um mit Technologien, die nicht in den Nanometer-Bereich vordringen, konkurrenzfähig zu bleiben, versucht man, dem Silizium mehr Intelligenz zu verleihen und die Funktionalität zu erweitern. Dieser Trend wird auch als „More Than Moore“ bezeichnet.