Herstellung und Charakterisierung von photonischen Kristall-Kavitäten im Sichtbaren
Conference: MikroSystemTechnik - KONGRESS 2009
10/12/2009 - 10/14/2009 at Berlin
Proceedings: MikroSystemTechnik
Pages: 4Language: germanTyp: PDF
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Authors:
Nüsse, N.; Löchel, B. (Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, Anwenderzentrum für Mikrotechnik, Albert-Einstein-Str. 15, 12489 Berlin)
Barth, M.; Benson, O. (Humboldt-Universität zu Berlin, Institut für Physik, AG Nano-Optik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin)
Abstract:
In diesem Beitrag berichten wir über die Herstellung und optische Charakterisierung von photonischen Kristall-Kavitäten für sichtbare Wellenlängen auf der Basis von Siliziumnitrid. Es finden signifikante Verbesserungen im Herstellungsprozess im Vergleich zu unseren bisherigen Studien Erwähnung. Die intrinsische Lumineszenz der Nitridmembranen wurde als interne Lichtquelle verwendet, um den Qualitätsfaktor der Kavitätsmoden zu untersuchen. Wir beobachteten Werte um 3400, die bis vor kurzem unübertroffen waren. Numerische Simulationen deuten an, dass eine Verbesserung des Q-Faktors um den Faktor zwei durch weitere Optimierung des Herstellungsprozesses möglich ist. Wir beschreiben eine Methode zur deterministischen Ankopplung von Emittern oder anderen nanoskaligen Objekten auf der Basis von Rasterkraftmikroskopie.