Untersuchung der Aktivierungseffekte durch DBD bei Atmosphärendruck für das Tieftemperatur-Direktbonden
Conference: MikroSystemTechnik - KONGRESS 2009
10/12/2009 - 10/14/2009 at Berlin
Proceedings: MikroSystemTechnik
Pages: 4Language: germanTyp: PDF
Personal VDE Members are entitled to a 10% discount on this title
Authors:
Michel, Benedikt; Klages, Claus-Peter (Institut für Oberflächentechnik, Braunschweig, Germany)
Eichler, Marko; Klages, Claus-Peter (Fraunhofer Institut für Schicht- und Oberflächentechnik, Braunschweig, Germany)
Abstract:
Die dielektrische Barrierenentladung (DBD) kann in Silizium-Direktbondprozessen zu einer drastischen Reduzierung der erforderlichen Annealingtemperatur beitragen. Verschiedene Effekte, welche mit der direkten Einwirkung der Barrierenentladung auf die native Siliziumoxidoberfläche in Verbindung stehen und zur Erklärung des Aktivierungseffektes beitragen können, werden in diesem Beitrag vorgestellt.