Parameterextraktion VRH-basierter Modelle für organische Feldeffekttransistoren
Conference: Zuverlässigkeit und Entwurf - 4. GMM/GI/ITG-Fachtagung
09/13/2010 - 09/15/2010 at Wildbad Kreuth, Germany
Proceedings: Zuverlässigkeit und Entwurf
Pages: 2Language: germanTyp: PDF
Personal VDE Members are entitled to a 10% discount on this title
Authors:
Schirmer, Wolfgang; Glauert, Wolfram H. (LS für Zuverlässige Schaltungen und Systeme)
Blache, Robert; Krumm, Jürgen; Schmidt, Klaus (PolyIC GmbH & Co. KG)
Abstract:
Ein wichtiger Schritt bei der Anwendung von Modellen ist die Extraktion der Modellparameter anhand von Messdaten. Die in dieser Veröffentlichung vorgestellte Methode beschreibt einen analytisch-geometrischen Ansatz, mit dem Ziel, die Parameter eines VRHbasierten Transistormodells (Variable Range Hopping) für gedruckte organische Transistoren mit einer möglichst geringen Zahl an Messpunkten zu bestimmen. Insbesondere werden dabei Iterations- und Optimierungsschritte oder eine globale Kurvenanpassung vermieden.