Bestimmung von Eigenspannungen im Mikro-Nano-Übergangsbereich mit verschiedenen Analysemethoden - Möglichkeiten und Grenzen
Conference: Mikro-Nano-Integration - 3. GMM-Workshop
03/03/2011 - 03/04/2011 at Stuttgart, Deutschland
Proceedings: Mikro-Nano-Integration
Pages: 4Language: germanTyp: PDF
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Authors:
Vogel, D.; Auerswald, E.; Michel, B. (Fraunhofer Institut ENAS, Chemnitz, Deutschland)
Gollhardt, A. (Fraunhofer Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration, Berlin, Deutschland)
Abstract:
Eigenspannungen, die während des Herstellungsprozesses von MEMS, Halbleiterstrukturen u.ä. hervorgerufen werden, sind häufig kritisch in Bezug auf die Funktion und auf die mechanisch-thermische Zuverlässigkeit. In diesem Paper werden drei verschiedene Messverfahren vorgestellt und bzgl. ihrer Merkmale, wie z.B. ihrer Auflösung und Anwendbarkeit verglichen. Der Fokus liegt dabei auf dem fibDAC-Stress-Relief-Verfahren, der Raman-Spektroskopie sowie auf der Ermittlung von Eigenspannungen mit der EBSD-Methode.