Bauteile aus GaN - Sicht auf die Halbleitertechnologie
Conference: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen - 6. ETG-Fachtagung
04/13/2011 - 04/14/2011 at Bad Nauheim, Deutschland
Proceedings: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen
Pages: 10Language: germanTyp: PDF
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Authors:
Hilt, Oliver; Bahat-Treidel, Eldad; Zhytnytska, Rimma; Kotara, Przemyslaw; Würfl, Joachim (Ferdinand Braun-Institut Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik, Berlin, Deutschland)
Abstract:
Seit etwa 8 Jahren wird über Entwicklungen von GaN-Schalttransistoren und GaN-Schottkydioden berichtet, die für leistungselektronische Anwendungen geeignet sein können. Seit 2 Jahren erfährt das Gebiet der GaN-Leistungselektronik durch die Markteinführung von GaN-basierten Schaltern von International Rectifier und EPC erhöhte Aufmerksamkeit und ihr Marktpotential wird intensiv diskutiert. In diesem Beitrag werden die eingesetzten GaN-Halbleitertechnologien vorgestellt und die damit erzielten Leistungsmerkmale präsentiert. Jeweilige Stärken und Schwächen werden diskutiert. Wegen ihres Marktpotentials wird lateralen Bauelementen auf Siliziumsubstraten besondere Aufmerksamkeit geschenkt. Vertikale GaN-Transistoren werden wegen der noch sehr hohen Substratkosten nur am Rande erwähnt.