Porenbildung auf der Endoberfläche: Einflussfaktoren und Modell
Conference: Elektronische Baugruppen und Leiterplatten - EBL 2012 - Hochentwickelte Baugruppen in Europa - 6. DVS/GMM-Tagung
02/14/2012 - 02/15/2012 at Stuttgart, Deutschland
Proceedings: Elektronische Baugruppen und Leiterplatten - EBL 2012
Pages: 6Language: germanTyp: PDF
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Authors:
Ewald, Thomas D.; Holle, Norbert (Engineering Assembly and Interconnect Technology, Robert Bosch GmbH, Stuttgart, Deutschland)
Ewald, Thomas D.; Wolter, Klaus-Jürgen (Institut für Aufbau- und Verbindungstechnik der Elektronik, Technische Universität Dresden, Deutschland)
Abstract:
Der reaktive Benetzungsvorgang der Leiterplattenendoberfläche mit Lot wurde als einer der Hauptmechanismen der Porenbildung identifiziert. Während des Umschmelzprozesses im Reflowofen bleiben Flussmittelrückstände an der Endoberfläche der Leiterplatte haften und erzeugen Poren durch Verdampfung oder Zersetzung. Die Menge dieser Anhaftungen bzw. der so entstandenen Poren hängt stark vom verwendeten Flussmittelsystem, der Endoberfläche der Leiterplatte und der Lotlegierung ab.