Health Monitoring durch In-situ Messung der Eigenspannungen im Package

Abstract:
Das Detektieren von Defekten im Mikrobereich von Mikroelektronikaufbauten stellt eine hohe Herausforderung dar. Um Aussagen über die Lebensdauer und die Zuverlässigkeit treffen zu können, ist die Überwachung von entstehenden Schädigungen von großer Bedeutung. Mit Hilfe des Stressmess-Chips können z.B. Delamination während ihrer Entstehung detektiert und lokalisiert werden. Das Messsystem liefert in-situ die Spannungswerte sowie die Spannungsverteilung, welche auf den Siliziumchip im Package induziert werden. Der Beginn und Verlauf von Mikroschädigungen im Package während Temperaturwechselbelastungen konnten detektiert werden und gaben somit Aufschluss auf Defekte in Material- oder Interfacebereichen. Alle experimentellen Messungen wurden mit FE-Simulation verifiziert. Aus der Kombination der Stressmessungen und den FE-Simulationen bildet dieses Verfahren eine detaillierte Methode des Health - Monitoring von MST-Aufbauten.