Entwicklung eines SiC basierten Leistungswandlermoduls
Conference: Mikrosystemtechnik 2013 - Von Bauelementen zu Systemen
10/14/2013 - 10/16/2013 at Aachen, Deutschland
Proceedings: Mikrosystemtechnik 2013
Pages: 3Language: germanTyp: PDF
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Authors:
Knoll, Heiko (IXYS Semiconductor GmbH, Lampertheim, Deutschland)
Abstract:
Seit einigen Jahren sind von unterschiedlichen Herstellern SiC-Schalter (FET) und SiC-Schottky Dioden verfügbar. Die theoretisch besseren Eigenschaften des SiC gegenüber dem Silizium, insbesondere bei hohen Schaltgeschwindigkeiten, können nun auch in konkrete Leistungsmodule umgesetzt werden. In diesem Beitrag werden prinzipielle Aspekte bezüglich der Entwicklung von SiC-Leistungsmodulen betrachtet.