Poröses Silizium auf SOI Substraten

Abstract:
In diesem Beitrag wird das Porösizieren des „Device Layers“ von „Silicon on Insulator“ Substraten mittels einem Edelmetall unterstützten, katalytischen Ätzvorganges untersucht. Aus Rasterelekronenmikroskopieaufnahmen werden Porentiefe und Form bei verschiedenen Ätzzeiten bestimmt, die durch die Silberpartikel im Silizium erzeugt werden. Ein Vergleich mit Ergebnissen von Standard-Siliziumwafern zeigt keinen Einfluss des vergrabenen Oxids auf das Ätzverhalten bis zu dem Zeitpunkt, bei dem die metallischen Partikel den Silizium-Oxid Übergang erreichen. Auf Grund der bevorzugten Bewegungsrichtung der Partikel parallel zum Silizium-Oxid Übergang in diesem Bereich als auch einer teilweisen kompletten Bewegungsumkehr wieder hin zur Waferoberfläche erlauben die Untersuchungen erste, grundlegende Voruntersuchungen in Bezug auf die Interaktion zwischen katalytisch aktivem Partikel und Silizium.