Untersuchung des Temperatureinflusses auf den spezifischen elektrischen Widerstand von nanokristallinem Nickel und röntgenamorphem Nickel-Phosphor

Conference: Mikrosystemtechnik 2013 - Von Bauelementen zu Systemen
10/14/2013 - 10/16/2013 at Aachen, Deutschland

Proceedings: Mikrosystemtechnik 2013

Pages: 4Language: germanTyp: PDF

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Authors:
Schnaithmann, M.; Sägebarth, J.; Sandmaier, H. (Universität Stuttgart, Lehrstuhl Mikrosystemtechnik, Pfaffenwaldring 4F, 70569 Stuttgart, Deutschland)
Weiland, A.; Seekamp, J.; Böhm, G.; Schäfer, W. (Feinmetall GmbH, Zeppelinstraße 8, 71083 Herrenberg, Deutschland)

Abstract:
In dieser Arbeit wird sowohl für nanokristalline Nickel- als auch für röntgenamorphe Nickel-Phosphor-Schichten der Temperatureinfluss auf den spezifischen elektrischen Widerstand analysiert. Während nanokristalliner Nickel mit einer Korngröße von 38 nm bei Raumtemperatur einen spezifischen elektrischen Widerstand von 14,2 myOmega cm aufweist, steigt er bei einer Temperatur von 523 K auf 28,2 myOmega cm. Röntgenamorpher Nickel-Phosphor zeigt mit 158 myOmega cm einen um eine Größenordnung größeren Widerstand, der sich mit der Temperaturzunahme nicht merklich ändert. Die Auslagerung für vier Stunden bei 523 K führt bei nanokristallinem Nickel zu einem Wachstum der Kristallitgröße auf 60 nm und damit verbunden zu einer Abnahme des spezifischen elektrischen Widerstands auf 10,1 myOmega cm. Nickel-Phosphor zeigt keine in der Röntgendiffrakometrie erkennbare Änderung der Mikrostruktur. Der Widerstand sinkt dennoch auf 142 myOmega cm.