Replikation von sub-100 nm Strukturen mittels UV-NIL unter Verwendung von Kompositstempeln aus h- und s-PDMS

Conference: Mikrosystemtechnik 2013 - Von Bauelementen zu Systemen
10/14/2013 - 10/16/2013 at Aachen, Deutschland

Proceedings: Mikrosystemtechnik 2013

Pages: 4Language: germanTyp: PDF

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Authors:
Hülsen, Christoph; Probst, Jürgen; Löchel, Bernd (Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie, Berlin, Deutschland)

Abstract:
Die Soft-UV-NIL (Ultra Violet - Nano Imprint Lithography) wurde genutzt um sub-100 nm Strukturen zu replizieren. Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt bei der Herstellung der Stempel und der Replikation von Strukturen - welche kleiner als 100 nm sind - auf einfache Weise. Dabei werden Kompositstempel, welche aus einer dünnen, strukturtragenden Schicht aus h-PDMS und einer dicken, unterstützenden s-PDMS bestehen, verglichen mit gewöhnlichen Stempeln aus s-PDMS hinsichtlich der Auflösung durch Verwendung eines Siemenssterns als Teststruktur. Das Master für die Replikation wird mittels Elektronenstrahllithographie (EBL) in eine 140 nm dicke Schicht aus PMMA geschrieben. Der Stempel wird ohne eine zusätzliche Antihaftbehandlung von der Masteroberfläche hergestellt. An der Auflösungsgrenze wird ein Aspektverhältnis von 1,5 erreicht. Für die Replikation wird ein bis-cycloaliphatisches Epoxid verwendet. Die erarbeiteten Teststrukturen lassen sich einfach miteinander vergleichen, ermöglichen das Ermitteln der Auflösungsgrenze auf einen Blick und sie stellen fließenden Übergang von Mikro zu Nanostrukturen dar. Deshalb ist der Siemensstern eine nützliche Struktur um die UV-NIL zu charakterisieren.