Technologieentwicklung für optimiertes MEMS Packaging durch Si-TSV-Rückseitenkontaktierung
Conference: Mikrosystemtechnik 2013 - Von Bauelementen zu Systemen
10/14/2013 - 10/16/2013 at Aachen, Deutschland
Proceedings: Mikrosystemtechnik 2013
Pages: 4Language: germanTyp: PDF
Personal VDE Members are entitled to a 10% discount on this title
Authors:
Meinecke, Ch. (TU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik, Zentrum für Mikrotechnologien, 09126 Chemnitz, Deutschland)
Hofmann, L.; Bertz, A.; Gottfried, K.; Geßner, T. (TU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik, Zentrum für Mikrotechnologien, 09126 Chemnitz, Deutschland )
Abstract:
Dieser Beitrag beschreibt eine neuartige Technologie zur Realisierung von vertikalen elektrischen Durchführungen, die als elektrisch leitende Durchführung Silizium-Stempel benutzt, welche durch einen Luftspalt vom umgebenden Silizium isoliert sind. Diese Art von Si-Durchkontakten (though silicon vias – TSVs) ermöglicht neben den elektrischen und mechanischen Integrationsmöglichkeiten des MEMS eine gleichzeitige Verringerung der Größe des Sensorchips. Die Technologieentwicklung und -anpassung für die hochpräzisen Beschleunigungssensoren stehen hier im Vordergrund. Es wird gezeigt, dass strukturiertes Aufbringen (pattern plating) einer Bondgrundierung (under-bump-metallization – UBM) sowie das folgende Siliziumtiefenätzen der Rückseitenkontakte möglich ist. Somit steht eine Technologie zur Verfügung, die vollständig in MEMS-Fertigungstechnologie integrierbar ist.