MOSFET-Dimensionierung zur Verbesserung der Lebensdauer analoger Schaltungen
Conference: ANALOG 2014 – Analogschaltungen im Systemkontext - Beiträge der 14. GMM/ITG-Fachtagung
09/17/2014 - 09/19/2014 at Hannover, Deutschland
Proceedings: ANALOG 2014 – Analogschaltungen im Systemkontext
Pages: 4Language: germanTyp: PDF
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Authors:
Habal, Husni; Gräb, Helmut (Lehrstuhl f ür Entwurfsautomatisierung, Technische Universität München, 80333 München, Deutschland)
Abstract:
Es wird eine Formulierung zur Schaltkreisdimensionierung vorgestellt, mit der die Ausbeute über eine vorgegebene Lebensdauer maximiert wird. Dabei wird die Degradation der MOSFET-Einsatzspannung bedingt durch bias temperature instability berücksichtigt. Der Ansatz wird am Beispiel eines Operationsverstärkers und mittels des Vergleichs mit einer Ausbeuteoptimierung ohne Berücksichtigung der Alterung validiert.