Thermisches Verhalten von SiCer – ein innovatives Verbundsubstrat für MEMS
Conference: MikroSystemTechnik 2015 - MikroSystemTechnik Kongress 2015
10/26/2015 - 10/28/2015 at Karlsruhe, Deutschland
Proceedings: MikroSystemTechnik 2015
Pages: 4Language: germanTyp: PDF
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Authors:
Fischer, Michael; Welker, Tilo; Schelestow, Kristina; Gropp, Sebastinan; Hoffmann, Martin; Müller, Jens (Technische Universität Ilmenau, IMN MacroNano®, Deutschland)
Karolewski, Dominik (IMMS gGmbH, 98693 Ilmenau, Deutschland)
Abstract:
Es wird das thermische Verhalten eines Silizium-Keramik-Verbundsubstrat vorgestellt, was mit Hilfe der „SiCer-Technologie“ hergestellt wird. Das Verbundsubstrat erlaubt die vorteilhafte Kombination der Silizium-MEMS-Technologie mit der LTCC-Technologie und stellt dadurch die Grundlage für ein neues Technologie-Konzept dar. Die Technologie zur Herstellung des Silizium-Keramik-Verbundsubstrats (100-mm-Wafer), insbesondere der Aufbau der Testsubstrate zur Bestimmung des thermischen Verhaltens von SiCer wird erläutert. Zur Temperatur-Einprägung und Messung (Simulation einer Verlustleistung) wird ein thermischer Testchip (PST 1, Delphi) eingesetzt. Hierzu werden Möglichkeiten für Aufbau- und Verbindungstechniken zur Montage der Chips auf SiCer diskutiert. Es wird eine Messanordnung zur Bestimmung von thermischen Widerständen an SiCer-Substraten vorgestellt. Die ermittelten thermischen Widerstände in Abhängigkeit von Durchmesser, Anzahl, und Anordnung thermischer Vias sowie der Einsatz eines Wärmebild-Messsystem werden diskutiert.