Entwicklung einer neuartigen nichtflüchtigen Speichertechnologie für zukünftige Automobilanwendungen
Conference: MikroSystemTechnik 2015 - MikroSystemTechnik Kongress 2015
10/26/2015 - 10/28/2015 at Karlsruhe, Deutschland
Proceedings: MikroSystemTechnik 2015
Pages: 4Language: germanTyp: PDF
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Authors:
Wenger, Ch. (IHP GmbH – Leibniz Institut für innovative Mikroelektronik, 15236 Frankfurt/Oder, Deutschland)
Hildebrandt, E.; Vogel, S.; Sharath, S. U.; Alff, L. (Technische Universität Darmstadt, 64287 Darmstadt, Deutschland)
Abstract:
Die Integration neuartiger nichtflüchtiger Speicher (NVM) erfordert CMOS kompatible Materialien. HfO2 ist ein geeigneter Kandidat, welcher das resistive Schalten in CMOS basierten Bauelementen für eine neue nichtflüchtige Speichertechnologie ermöglicht. Die Untersuchung des Schaltverhaltens in integrierten Bauelementen als auch in Speicherarrays ist Gegenstand dieser Arbeit.