In-Situ-Röntgenuntersuchungen an Lötstellen der Leistungselektronik

Abstract:
Poren in Lötstellen verringern grundsätzlich die Zuverlässigkeit der Verbindung. Besonders in der Leistungselektronik wird deshalb für Flächenlötstellen ein Porengehalt von weniger als 5 % gefordert. Dieses Ziel kann bislang nur mit Lötverfahren erreicht werden, bei denen der atmosphärische Druck variiert wird. Die Einstellung der dafür notwendigen Prozessparameter beruht zumeist auf Erfahrungswerten. Bisherige Untersuchungen zum Einfluss von Material- und Prozessparametern auf das Lötergebnis betrachteten den Lötvorgang als Black Box. Die vorliegende Arbeit quantifiziert 2D-Röntgenmikroskopiefilme von Lötvorgängen und macht sie so miteinander vergleichbar. Durch gezielte Variation einzelner Material- und Prozessparameter können die Zusammenhänge zwischen ihnen und dem Lötergebnis untersucht werden. Das Hauptaugenmerk dieser Untersuchung liegt auf dem Einfluss der Druckvariationen auf den Porengehalt.