Zur Bewertung der Fremdschichtüberschlagspannung von Glaskappenisolatoren mit definiert ungleichmäßiger Siliconbeschichtung

Abstract:
Im Beitrag werden erste Ergebnisse zu Untersuchungen der Fremdschichtüberschlagspannung von ausgewählten Glaskappenisolatoren mit Siliconcoating beschichteten Teilsegmenten vorgestellt. Unter Nutzung definierter künstlicher Verschmutzungsprüfverfahren erfolgte dabei die Ermittlung der 50-Hz-Fremdschicht-Überschlagwechselspannung im Bereich von leichter bis mittlerer Verschmutzung. Die Bewertung der Ergebnisse erfolgt im direkten Vergleich zu Glaskappenisolatoren gleicher Bauart mit Gesamtbeschichtung bzw. ohne Siliconbeschichtung. Zusätzlich erfolgt eine Bewertung des Überschlagprozesses durch Aufnahmen mit einer Hochgeschwindigkeitskamera sowie die Einbeziehung von Modellbetrachtungen zur Spannungs- bzw. Feldstärkeverteilung definiert ungleichmäßig benetzter bzw. verschmutzter Isolatoroberflächen. Die vorliegenden Ergebnisse zeigen u.a., dass der Anstieg der Fremdschichtkennlinien der Glaskappenisolatoren mit teilweiser und gesamter Siliconbeschichtung übereinstimmt, wobei dieser erheblich niedriger ist als der Anstieg der Fremdschichtkennlinie der Isolatoren ohne Siliconbeschichtung. Die Fremdschichtüberschlagspannungen der Glaskappenisolatoren mit teilweiser Silicon-beschichtung sind, im untersuchten Verschmutzungsbereich, mindestens 50 % höher als die der Isolatoren ohne Silicon-beschichtung.