Hochsperrende SiC-Bauelemente und deren Anwendung in der Leistungselektronik für Mittelspannungsnetze

Conference: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen 2017 - 7. ETG-Fachtagung
04/06/2017 - 04/07/2017 at Bad Nauheim, Deutschland

Proceedings: ETG-Fb. 152: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen 2017

Pages: 12Language: germanTyp: PDF

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Authors:
Kranzer, Dirk; Thoma, Jürgen; Hensel, Andreas; Derix, David; Volzer, Benjamin (Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE, Freiburg, Deutschland)

Abstract:
In dieser Veröffentlichung wird näher auf die Eigenschaften von hochsperrenden Siliziumkarbid (SiC) Bauelementen eingegangen. Hierbei werden Messergebnisse zu 15 kV SiC MOSFETs, IGBTs und Schottky-Dioden gezeigt und aus Sicht einer möglichen Anwendung in der Leistungselektronik bewertet. Es werden die Eigenarten der Bauelemente beschrieben, die Tücken, die sich bei der Handhabung ergeben und wie die Herausforderungen für die Entwicklung eines dreiphasigen 10 kV Mittelspannungsumrichters angegangen wurden.