Dünnschichtstrukturierung metallorganischer Resinatpasten auf Glaswafern

Abstract:
Der fortlaufende Trend zu mehr intelligenten und komplexeren elektronischen Systemen erfordert mehr Miniaturisierung und die damit verbundene ständig steigende Integrationsdichte der mikroelektronischen Schaltkreise. Feinstrukturierte Leitungen, hochauflösende Strukturen, Abstände und Kanten und feine Linien sind die Anforderungen an hochintegrierte Schaltkreise. In den letzten Jahren wurden viele fortschrittliche Technologien zur Erhöhung der Integrationsdichte und somit die Verbesserung der Datenverarbeitungsfähigkeit entwickelt. Silizium-Interposer ist eine dieser Technoliegen. Die Dünnschichtfähigkeit des Siliziumsubstrats ermöglicht die Realisierung präziser und feiner Verdrahtung und Anbindung mehrerer aktiver Schaltkreise. Neben dem Siliziumsubstrat ist das Glassubstrat ein potentielles Material für den Einsatz als Interposer in der Aufbau- und Verbindungstechnologie. Darüber hinaus öffnen sich neue Perspektiven aufgrund der Glas-spezifischen Eigenschaften wie die optische Transparenz und die niedrigeren dielektrischen Verluste im Vergleich zu Silizium. Zur Strukturierung der Glasoberfläche können spezielle dünn (0,1 – 1 µm) druckende Pasten, die so genannte Resinatpasten verwendet werden. Diese wird anhand des kostengünstigen Siebdruckverfahrens auf das Glas aufgebracht und fotolithographisch strukturiert. Anschließend kann die Metallschicht galvanisch auf das erforderliche Schichtdicke verstärkt werden.