PCB Embedding von SiC MOSFET für automotive Leistungselektronikmodule

Abstract:
Der Einsatz von Siliziumkarbid (SiC) Halbleitern in Kombination mit Hochtemperaturmaterialien erlaubt höhere Schaltfrequenzen und höhere Leistungsdichten in zukünftigen Leistungselektronik-Systemen. Zusätzlich wird erwartet, dass die Zuverlässigkeit der Komponenten weiter gesteigert und gleichzeitig die Fehleranfälligkeit reduziert wird. Die Grundlagen um diese Ziele zu erreichen sind ein optimiertes Systemdesign und eine robuste Aufbau- und Verbindungstechnologie, welche Forschungsgegenstände des öffentlich geförderten Projekts SiCmodul sind. Im Projekt wird ein fortschrittlicher Traktionsumrichter mit skalierbarer Leistung erforscht, dessen Leistungsstufe für Einsatztemperaturen bis zu 200 °C konzipiert ist. Im Folgenden werden erste Ergebnisse der Zuverlässigkeitsuntersuchungen an Materialien und Halbleitern vorgestellt.