Simulationsgestützte Analyse von Through-hole Technology Verbindungsstellen der Elektronik im Automobilbereich

Conference: EBL 2020 – Elektronische Baugruppen und Leiterplatten - 10. DVS/GMM-Tagung
02/18/2020 - 02/19/2020 at Fellbach, Deutschland

Proceedings: GMM-Fb. 94: EBL 2020 – Elektronische Baugruppen und Leiterplatten

Pages: 6Language: germanTyp: PDF

Authors:
Berger, R.; Olfe, J.; Rogowski, S. (Volkswagen AG, Salzgitter, Deutschland)
Röllig, M.; Münch, S.; Schwerz, R.; Heuer, H. (Fraunhofer IKTS, Dresden, Deutschland)

Abstract:
Die zunehmende Elektrifizierung des Automobils und die erhöhten Nutzungsanforderungen führen zu einer gesteigerten Zuverlässigkeitsanforderung sowie einer notwendigen Zuverlässigkeitsbewertung von elektronischen Fahrzeugkomponenten. Eine Integration einer strukturmechanischen Analyse in den Design- und Bewertungsprozess elektronischer Baugruppen ermöglicht neben der optimierten Hardwareauslegung eine Zeit- und Kostenersparnis im gesamten Entwicklungs- und Produktionsprozess. Der Fokus dieser Studie liegt auf der simulationsgestützten, strukturmechanischen Bewertung von Through-hole Technology (THT) Verbindungsstellen. Es wurden die höchsten Beanspruchungen auf einer Baugruppe lokalisiert und die auftretenden Beanspruchungsmechanismen bezüglich ihrer Einflussstärke für die untersuchten THT-Lötstellen priorisiert. Um die Genauigkeit der derzeit möglichen Zuverlässigkeitsaussagen deutlich zu verbessern, wird ein strategisches, simulationsgestütztes Vorgehen vorgestellt, welches die Bestimmung von Ausfallursachen und –zeiten von SnAgCu-Lötstellen sowie die Zuordnung der Ursachen zu den auftretenden Ausfallschwankungen zulässt.