Der feldstärkeabhängige Alterungsmechanismus in SiO2-Nanopartikel gefüllten Hochspannungsisolationen

Conference: VDE Hochspannungstechnik - ETG-Fachtagung
11/09/2020 - 11/11/2020 at online

Proceedings: ETG-Fb. 162: VDE Hochspannungstechnik

Pages: 6Language: germanTyp: PDF

Authors:
Lang, Steffen; Müller, Niels (Siemens AG Corporate Technology, Erlangen, Deutschland)

Abstract:
An einer glimmerhaltigen Hochspannungsisolation für elektrische rotierende Maschinen wird der Einfluss von SiO2-Nanopartikel auf das Degradationsverhalten untersucht. In Abhängigkeit von der anliegenden Feldstärke werden zwei unterschiedliche Degradationsmechanismen vorgeschlagen. Bei hohen Feldstärken dominiert der Treeing-Mechanismus die Alterung der Isolation. Bei kleinen Feldstärken bildet sich eine stabile, poröse Schutzschicht aus Nanopartikeln aus, die die elektrische Lebensdauer der Isolation deutlich erhöht. An REM-Aufnahmen wird die Schutzschicht bei unterschiedlichen Degradationsfeldstärken an glimmerfreien Prüfkörpern untersucht. Es konnte gezeigt werden, dass ab einer gewissen Feldstärke die poröse Schutzschicht zerstört wird und ihre lebensdauerverlängernde Wirkung verliert.