Layout und Integration eines Pd-Gate Feldeffekttransistors
Conference: MikroSystemTechnik - KONGRESS 2007
10/15/2007 - 10/17/2007 at Dresden
Proceedings: MikroSystemTechnik
Pages: 4Language: germanTyp: PDF
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Authors:
Frers, Torsten; Hilleringmann, Ulrich (Universität Paderborn, Deutschland)
Abstract:
Der Beitrag behandelt einen MOS-Feldeffekttransistor mit einem Palladium-(Pd)-Gate als sensitive Schicht für einen Gassensor. Der Sensor wird anhand eines Modells vorgestellt mit dem die Schwellenspannungsänderung bei Gasadsorption für Wasserstoff (H2), Methan (CH4) und Kohlenstoffmonooxid (CO) erklärt werden kann. Messergebnisse mit H2- und CH4-Fluss belegen die Gültigkeit des Modells. Die benötigten Temperaturen für die Gasadsorption sind für den Feldeffekttransistor geringer als beim Metalloxidgassensor; sie stellen damit eine verlustleistungsarme Alternative dar.