Analyse arbeitspunktabhängiger Degradierung bei MOS-Transistoren durch NBTI und HCI
Conference: edaWorkshop 14 - Tagungsband
05/13/2014 - 05/14/2014 at Hannover, Germany
Proceedings: edaWorkshop 14
Pages: 6Language: germanTyp: PDF
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Authors:
Hellwege, Nico; Heidmann, Nils; Peters-Drolshagen, Dagmar; Paul, Steffen (Institut für Theoretische Elektrotechnik und Mikroelektronik (ITEM.me), Universität Bremen, Deutschland)
Abstract:
Degradierungseffekte wie NBTI und HCI führen zu Änderungen der charakteristischen Eigenschaften von MOS-Transistoren. Es ist daher notwendig, die Auswirkungen der Degradierungen auf Schaltungseigenschaften zu analysieren und zu minimieren. Bestehende Ansätze verwenden meistens Optimierungsalgorithmen oder andere externe Programme und stellen in der Regel keinen Zusammenhang zwischen Schaltungscharakteristik und Degradierung her. Durch Kombination der etablierten gm/Id Entwurfsmethodik und Degradierungssimulationen ist es möglich, Einblicke in die arbeitspunktabhängige Degradierung von MOS-Transistoren zu erhalten und Schaltungstopologien im Hinblick auf Zuverlässigkeit zu entwerfen und zu optimieren. Diese Arbeit beschreibt eine Analyse, die für einen Aging-Aware Entwurfsfluss verwendet werden kann.