DIN EN 60749-26 VDE 0884-749-26:2014-09

In diesem Dokument wird das Verfahren für die Prüfung, Bewertung und Klassifizierung von Bauelementen und Mikroschaltungen nach ihrer Störanfälligkeit (Empfindlichkeit) gegen Beschädigung oder Funktionsbeeinträchtigung festgelegt, wenn diese Bauelemente mit den im Human-Body-Modell (HBM) festgelegten elektrostatischen Entladungen (ESD) beansprucht werden.
Der Zweck dieses Dokuments ist die Festlegung eines Prüfverfahrens, mit dem wiederholbare HBM-Ausfälle erzeugt werden und welches ungeachtet des Bauelementetyps zuverlässige und wiederholbare HBM-ESD-Prüfergebnisse von Prüfeinrichtung zu Prüfeinrichtung liefert. Die Wiederholbarkeit der Daten lässt präzise Klassifizierungen und Vergleiche der HBM-ESD-Empfindlichkeitspegel zu.
Die ESD-Prüfung von Halbleiterbauelementen erfolgt nach diesem Prüfverfahren, dem Prüfverfahren des Machine-Models (MM) (siehe DIN EN 60749-27) und anderen ESD-Prüfverfahren der Normenreihe DIN EN 60749. Das HBM- und das MM-Prüfverfahren führen zu ähnlichen, aber nicht identischen Prüfergebnissen; sofern nicht anders angegeben, ist das HBM-Prüfverfahren anzuwenden.
Dieses Dokument wurde vom TC 47 „Semiconductor devices“ der Internationalen Elektrotechnischen Kommission (IEC) erarbeitet und als Europäische Norm angenommen. Es ist als Ersatz für DIN EN 60749-26:2007-01 vorgesehen.
Es enthält die folgenden wichtigen fachlichen Änderungen gegenüber DIN EN 60749-26:2007-01:
a) die Beschreibungen von Oszilloskop und Strommessumformern sind überarbeitet und aktualisiert worden;
b) das Blockschaltbild und Beschreibung der HBM-Schaltung sind verbessert worden;
c) die Beschreibung der Anerkennung und Überprüfung der Beanspruchungsprüfeinrichtung wurde vollständig neu gefasst;
d) die Anerkennung und Überprüfung der Prüfleiterplatten ist überarbeitet worden;
e) ein neuer Abschnitt über die Bestimmung des Nachschwingens in der Stromwellenform wurde aufgenommen;
f) einige alternative Anschlusskombinationen sind ergänzt worden;
g) Zulassen der Beanspruchung von Nichtversorgungsanschlüssen gegen eine begrenzte Anzahl von Versorgungsanschlussgruppen (verknüpfte Nichtversorgungsanschlüsse) und Zulassen der Beanspruchung von Nichtversorgungsanschlüssen gegen Nichtversorgungsanschlüsse (d. h. E/A gegen E/A) mit der begrenzten Anzahl von zwei Anschlusspaaren (zusammengeschaltete Nichtversorgungsanschlusspaare);
h) ausdrückliches Zulassen der HBM-Beanspruchung mit Anschlusspaar-HBM-Prüfeinrichtungen für Versorgungsanschlussgruppen, die ausschließlich auf dem Chip kurzgeschlossen sind.