Cover DIN EN 60749-28 VDE 0884-749-28:2018-02
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DIN EN 60749-28 VDE 0884-749-28:2018-02

Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren

Teil 28: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) – Charged Device Model (CDM) – Device Level

(IEC 60749-28:2017); Deutsche Fassung EN 60749-28:2017
Art/Status: Norm, gültig
Ausgabedatum: 2018-02
VDE-Artnr.: 0800467

Inhaltsverzeichnis

Die Reihe der Normen DIN EN 60749 "Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren" enthält unterschiedliche Prüfungen für die Empfindlichkeit von Halbleiterbauelementen gegen elektrostatische Entladungen: Im Teil 26 der Normenreihe ist das Human Body Model (HBM) festgelegt und im Teil 27 das Machine-Model (MM).
In diesem Teil der DIN EN 60749 wird das Verfahren für die Prüfung, Bewertung und Klassifizierung von Bauelementen und Mikroschaltungen nach ihrer Störanfälligkeit (Empfindlichkeit) gegen Beschädigung oder Beeinträchtigung festgelegt, wenn diese einer definierten elektrostatischen Entladung (ESD) im feldinduzierten Charged Device Model (CDM) ausgesetzt werden.
Bei diesem Prüfverfahren wird ein Bauelement selbst aufgeladen, was beim Verarbeitungsprozess z. B. durch das Gleiten auf einer Oberfläche oder durch elektrische Feldinduktion erfolgt, und wird schnell entladen, wenn es einem leitfähigen Objekt sehr nahe kommt. Das CDM-Prüfverfahren simuliert auch Metall-Metall-Entladungen, die sich aus anderen ähnlichen Szenarien ergeben, wie zum Beispiel die Entladung aufgeladener Metallobjekte an Bauelementen mit einem anderen Potential.
Das in diesem Dokument beschriebene Prüfverfahren ist für in Gehäusen montierte Bauelemente anzuwenden. Alle gehäusten Halbleiterbauelemente, Dünnfilmschaltungen, akustischen Oberflächenwellen-Bauelemente (SAW), optoelektronischen Bauelemente, integrierten Hybridschaltungen (HICs) und Multi-Chip-Module (MCMs), die eines dieser Bauelemente enthalten, können nach diesem Dokument bewertet werden.