E DIN EN IEC 63550-4 VDE 0884-3550-4:2026-05
Halbleiterbauelemente – Neuromorphe Bauelemente
Teil 4: Bewertungsmethode für Asymmetrien in Memristor-Bauelementen
(IEC 47/2940/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-4:2025
Art/Status:
Norm-Entwurf,
gültig
Ausgabedatum: 2026 -05 Erscheinungsdatum:
2026-04 -03
VDE-Artnr.: 1801056
Ende der Einspruchsfrist:
2026-06-03
Dieser Teil von IEC 63550-4 legt den Schwerpunkt auf die Beurteilung von Asymmetrieeigenschaften, die eine entscheidende Rolle bei der Handhabung von Memristoren mit unausgewogenem Schaltverhalten bei neuromorphen Vorgängen spielen und neben Beurteilungen der Linearität auch andere Charakterisierungsmethoden erfordern. Die Asymmetrie-Prüfverfahren in dieser Internationalen Norm umfassen Asymmetrie, Zyklus-zu-Zyklus-Variation () der Asymmetrie und Bauelement-zu-Bauelement-Variation () der Asymmetrie. Dieses Dokument ist auf alle neuromorphen Memristor-Bauelemente mit zwei Anschlüssen anwendbar, unabhängig von dem zugrunde liegenden Mechanismus.
Es gibt keine Einschränkungen im Anwendungsbereich des Dokuments.
Durch seine Anwendung erhöht das Dokument die Investitionssicherheit für Hersteller und Anwender, gibt Prüflaboratorien und Herstellern definierte Informationen für die Prüfung und erhöht die Kompatibilität der Produkte zwischen den Herstellern.
Dieses Dokument wird folgenden, in Fettschrift gekennzeichneten, Fachgebiet(en) zugeordnet:
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