E DIN EN IEC 63550-3 VDE 0884-3550-3:2026-05
Halbleiterbauelemente – Neuromorphe Bauelemente
Teil 3: Bewertungsmethode für spikeabhängige Plastizität in Memristor-Bauelementen
(IEC 47/2941/CDV:2025); Deutsche und Englische Fassung prEN IEC 63550-3:2025
Art/Status:
Norm-Entwurf,
gültig
Ausgabedatum: 2026 -05 Erscheinungsdatum:
2026-04 -03
VDE-Artnr.: 1801057
Ende der Einspruchsfrist:
2026-06-03
Dieser Teil von IEC 63550#3 legt die Prüfverfahren für die Bewertung der spike-abhängigen Plastizität von neuromorphen Memristor-Bauelementen fest. Die in dieser internationalen Norm beschriebenen Prüfverfahren umfassen spike-zeitabhängige Plastizität (STDP, en: spike time dependent plasticity), indirekte STDP, spike-ratenabhängige Plastizität (SRDP, en: spike rate dependent plasticity) sowie deren Retentionseigenschaften. Dieses Dokument kann anwendbar für neuromorphe Memristor-Bauelemente ohne Einschränkungen in Bezug auf Bauelementetechnologie und -größe sein.
Es gibt keine Einschränkungen im Anwendungsbereich des Dokuments.
Durch seine Anwendung erhöht das Dokument die Investitionssicherheit für Hersteller und Anwender, gibt Prüflaboratorien und Herstellern definierte Informationen für die Prüfung und erhöht die Kompatibilität der Produkte zwischen den Herstellern.
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