MOS-gesteuerte Leistungsschalter: Konzepte und Schaltverhalten
Konferenz: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen - ETG-Fachtagung
10.10.2006 - 11.10.2006 in Bad Nauheim, Germany
Tagungsband: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen
Seiten: 13Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Pfirsch, Frank; Bayerer, Reinhold (Infineon Technologies AG, München und Warstein)
Inhalt:
Das Gebiet der bipolaren Leistungsschalter wird seit langem von den IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) dominiert. Es werden die gängigen Konzepte für den Vertikalaufbau und die Transistorzelle vorgestellt. Neuere Entwicklungen zielen auf weitere Verringerung der Durchlass- und Schaltverluste durch Erhöhung der Trägerdichte und Verringerung der Chipdicken, auf höhere Junction-Temperatur und weiter verbesserte Robustheit sowie auf günstigeres Schaltverhalten. Ein weiterer Trend ist die Erhöhung der Funktionalität bis hin zum symmetrisch sperrenden bidirektionalen Schalter. Bei den unipolaren Schaltern werden die für reale Superjunction-Bauelemente wesentlichen Faktoren diskutiert und neuere Herstellungsverfahren vorgestellt. Zum Schaltverhalten von IGBTs werden die generellen Struktureinflüsse sowie erweiterte Ansteuermöglichkeiten untersucht.