Transistor-Kompaktmodell mit korrelierten Rauschquellen für sehr hohe Frequenzen

Inhalt:
Ein Kompaktmodell für Bipolartransistoren (BJT) mit Korrelation zwischen Basis- und Kollektorschrotrauschquelle wird vorgestellt. Auf der Grundlage einer mathematischen Transformation wird es möglich die zwischen den Quellen bestehende Korrelation in das BJT-Kompaktmodell HICUM zu implementieren. Die Umsetzung der Theorie erfolgt unter Verwendung der Hardware- Beschreibungssprache Verilog-AMS. Die Modellverifikation wird am kompilierten Verilog-AMS-Modell mit dem Schaltungssimulator ADS2004A vorgenommen. Die Simulationsergebnisse werden mit den gemessenen Rauschparametern für Hochfrequenz SiGe-HBT ( fTpeak = 150 GHz) verglichen. Es wurde eine sehr gute Übereinstimmung zwischen simulierten und gemessenen Daten erzielt.