Bondenergie-Messung in situ während des Temperns beim Direktbonden von Glas und Silizium
Konferenz: MikroSystemTechnik - KONGRESS 2009
12.10.2009 - 14.10.2009 in Berlin
Tagungsband: MikroSystemTechnik
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Eichler, Marko; Hennecke, Philipp; Klages, Claus-Peter (Fraunhofer-Institut für Schicht- und Oberflächentechnik IST, 38108 Braunschweig, Deutschland)
Michel, Benedikt; Klages, Claus-Peter (Institut für Oberflächentechnik, Technische Universität Braunschweig, 38108 Braunschweig, Deutschland)
Inhalt:
In dem Beitrag wird eine Methode zur Messung der Oberflächenenergie in situ während des Temperns von Silizium und Glaswafern vorgestellt. Mit dieser Methode wurden die Einflüsse von Vorbehandlungen mittels Atmosphärendruckplasmen und Variationen des Temperns auf die Silanolkondensation untersucht. Weiterhin wird neben einem selbstverstärkender Prozess in Abhängigkeit von dem Entweichen von eingeschlossenem Wasser ein Modell zum Ausbilden und Wachsen von kovalent gebundenen Mikrokontakten präsentiert, welches das beobachtete Temperverhalten beschreibt.