CMOS kompatible RF MEMS Schalter
Konferenz: MikroSystemTechnik - KONGRESS 2009
12.10.2009 - 14.10.2009 in Berlin
Tagungsband: MikroSystemTechnik
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Klein, S.; Bittner, A.; Seidel, H. (Universität des Saarlandes, Lehrstuhl für Mikromechanik, Mikrofluidik / Mikroaktorik, 66123 Saarbrücken)
Schmid, U. (Technische Universität Wien, Institut für Sensor und Aktuatorsysteme, Abteilung Mikrosystemtechnik, Floragasse 7, 1040 Wien)
Inhalt:
In dieser Arbeit stellen wir kapazitive, CMOS kompatible RF MEMS Schalter basierend auf einer Wolfram-Titan (WTi) sowie einer Aluminium-Silizium-Kupfer (AlSiCu) Legierung vor. Aufgrund eines definierten intrinsischen Spannungszustandes weisen die Schalter eine kreisförmige Verbiegung weg von der Substratoberfläche auf. Die Ansteuerung erfolgt elektrostatisch unter Nutzung des Wanderkeileffektes. Untersuchungen zur Temperaturstabilität der Schaltelemente erfolgten durch eine Reihe von Temperschritten unter Standardatmosphäre. Hierzu wurden die Bauelemente schrittweise bis hin zu Temperaturen von 405 °C (AlSiCu) bzw. 500 °C (WTi) getempert. Messungen der Sperr- und Einfügedämpfung im Frequenzbereich von 23 bis 35 GHz lieferten gute Ergebnisse sowohl für Aluminium-Silizium-Kupfer basierte als auch für Wolfram-Titan basierte Schalter.