Großflächige Integration von ZnO-Nanopartikel-Transistoren
Konferenz: Mikro-Nano-Integration - 2. GMM-Workshops
03.03.2010 - 04.03.2010 in Erfurt, Germany
Tagungsband: Mikro-Nano-Integration
Seiten: 5Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Wolff, Karsten; Hilleringmann, Ulrich (Universität Paderborn, Institut für Elektrotechnik und Informationstechnik, Warburger Straße 100, 33098 Paderborn, Deutschland)
Hilleringmann, Ulrich (Fraunhofer-Einrichtung für Elektronische Nanosysteme (ENAS), Abteilung Advanced System Engineering (ASE), 33098 Paderborn, Deutschland)
Inhalt:
Zinkoxid-Nanopartikel lassen sich kosteneffektiv aus wässrigen Dispersionen durch Schleuderbeschichtung abscheiden. Die vorgestellte Technik ermöglicht es, Schichten aus Zinkoxid-Nanopartikeln beliebig in Prozessabläufe einzubinden. Insbesondere lassen sich fotolithographische Techniken auf Nanopartikelschichten durchführen. Durch die damit mögliche Verkleinerung von Strukturen, insbesondere Kontakten, auf den Zinkoxid-Schichten können deutlich verbesserte Eigenschaften der nanopartikelbasierten Bauelemente erreicht werden. Am Beispiel von ZnO-Dünnfilm-Transistoren wird der Einsatz dieser Technologie in der Mikrosystemtechnik vorgestellt.