Dotierte Ba0,6Sr0,4TiO3-Dickschichten für steuerbare passive Mikrowellenkomponenten
Konferenz: Technologien und Werkstoffe der Mikrosystem- und Nanotechnik - 2. GMM-Workshop
10.05.2010 - 11.05.2010 in Darmstadt, Germany
Tagungsband: Technologien und Werkstoffe der Mikrosystem- und Nanotechnik
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Zhou, X.; Geßwein, H.; Binder, J. R.; Haußelt, J. (Institut für Materialforschung III, Karlsruher Institut für Technologie (KIT), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Deutschland)
Zhou, X.; Sazegar, M.; Jakoby, R. (Mikrowellentechnik, Technische Universität Darmstadt, Merckstraße 25, 64283 Darmstadt, Deutschland)
Inhalt:
In dieser Arbeit wird der Einfluss der Dotierungselemente Fe, Co, Ni, Cu als Akzeptor und F als Donator auf die Materialeigenschaften und Bauteilperformance von Ba0,6Sr0,4TiO3 (BST)-Dickschichten untersucht. Die BST-Pulver wurden durch einen modifizierten Sol-Gel-Prozess synthetisiert und sowohl die Pulver als auch die entsprechenden Dickschichten ausführlich charakterisiert. Für die dielektrische Charakterisierung wurden Interdigitalkondensatoren (IDC) auf den BST-Dickschichten strukturiert. Durch den Einsatz der unterschiedlichen Dotierungselemente konnte der Q-Faktor und die Steuerbarkeit der IDCs bei 3 GHz zwischen 25 und 64 bzw. zwischen 15 % und 35 % eingestellt werden. Dabei wurde eine maximale elektrostatische Steuerfeldstärke von 10 V/µm verwendet.