Bestimmung von Eigenspannungen im Mikro-Nano-Übergangsbereich mit verschiedenen Analysemethoden - Möglichkeiten und Grenzen

Inhalt:
Eigenspannungen, die während des Herstellungsprozesses von MEMS, Halbleiterstrukturen u.ä. hervorgerufen werden, sind häufig kritisch in Bezug auf die Funktion und auf die mechanisch-thermische Zuverlässigkeit. In diesem Paper werden drei verschiedene Messverfahren vorgestellt und bzgl. ihrer Merkmale, wie z.B. ihrer Auflösung und Anwendbarkeit verglichen. Der Fokus liegt dabei auf dem fibDAC-Stress-Relief-Verfahren, der Raman-Spektroskopie sowie auf der Ermittlung von Eigenspannungen mit der EBSD-Methode.