Freilaufdioden aus Silizium - Schaltverhalten, Robustheit
Konferenz: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen - 6. ETG-Fachtagung
13.04.2011 - 14.04.2011 in Bad Nauheim, Deutschland
Tagungsband: Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen
Seiten: 9Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Lutz, Josef; Baburske, Roman (Technische Universität Chemnitz, Deutschland)
Inhalt:
Auch Freilaufdioden für hohe Leistung können auf Soft-Recovery und sehr hohe Robustheit ausgelegt werden. Der Schlüssel für die erforderliche Beherrschung des Abbaus des internen Ladungsträgerplasmas liegt am nn+-Übergang. Dort können geeignete Strukturen im kritischen Betriebszustand Löcher injizieren. Damit werden wieder Freiheitsgrade zur Verbesserung der Stoßstromfestigkeit und Höhenstrahlungsfestigkeit gewonnen.