Bauteile aus GaN - Sicht auf die Halbleitertechnologie

Inhalt:
Seit etwa 8 Jahren wird über Entwicklungen von GaN-Schalttransistoren und GaN-Schottkydioden berichtet, die für leistungselektronische Anwendungen geeignet sein können. Seit 2 Jahren erfährt das Gebiet der GaN-Leistungselektronik durch die Markteinführung von GaN-basierten Schaltern von International Rectifier und EPC erhöhte Aufmerksamkeit und ihr Marktpotential wird intensiv diskutiert. In diesem Beitrag werden die eingesetzten GaN-Halbleitertechnologien vorgestellt und die damit erzielten Leistungsmerkmale präsentiert. Jeweilige Stärken und Schwächen werden diskutiert. Wegen ihres Marktpotentials wird lateralen Bauelementen auf Siliziumsubstraten besondere Aufmerksamkeit geschenkt. Vertikale GaN-Transistoren werden wegen der noch sehr hohen Substratkosten nur am Rande erwähnt.