Integrierte IGBT-Gatetreiber- und Systemlösungen

Inhalt:
Es werden einerseits integrierte Gatetreiber für die Primär- und Sekundärseite von Hybridtreibern, die auf einer galvanischen Trennung aufbauen und für den mittleren und hohen Spannungs- und Leistungsbereich konzipiert sind, sowie andererseits weitgehend monolithische integrierte IGBT-Treiber-Lösungen für 600 V bis 1200 V sowie Leistungen bis ca. 3 kW vorgestellt. Dabei werden die leistungselektronischen Systeme sowie die Technologieanforderungen diskutiert. Anschließend werden zahlreiche Beispiele für die Systemintegration mit PN-isolierten und SOI-Technologien sowie für die Multi Chip-Integration gezeigt und bewertet.