Ressourceneffizienz am Beispiel magnetoresistiver Sensoren
Konferenz: MikroSystemTechnik - KONGRESS 2011
10.10.2011 - 12.10.2011 in Darmstadt, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Paul, Johannes; Lehndorff, Ronald (Sensitec GmbH, Hechtsheimerstraße 2, 55131 Mainz, Deutschland)
Duret, Christophe (NTN-SNR Roulements, 1 rue des Usines, 74010 Annecy, France)
Inhalt:
Der Tunnelmagnetowiderstand findet großes Interesse in Forschung und Entwicklung, da die auftretenden Effekte eine Größenordnung über anderen magnetoresistiven Effekten liegen. Ein oft unterbewerteter Gesichtspunkt ist der Energie- und Materialbedarf der jeweiligen Sensoren. Eine Gegenüberstellung von AMR-, GMR- und TMR-Sensoren weist hier ebenfalls einen signifikanten Vorteil für TMR-Sensoren auf. Die Gewichtung der verschiedenen Gesichtspunkte muss anwendungsspezifisch erfolgen. Dabei wird erwartet, dass TMR-Sensoren vor allem in mobilen Anwendungsbereichen neue Märkte erschließen werden.