Niedrigtemperatur-Direktbonden von Silizium-, Borosilikat- und Quarzglaswafern und der Einfluss von Funktionsschichten
Konferenz: MikroSystemTechnik - KONGRESS 2011
10.10.2011 - 12.10.2011 in Darmstadt, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Eichler, Marko; Hennecke, Phillip; Klages, Claus-Peter (Fraunhofer-Institut für Schicht- und Oberflächentechnik IST, Bienroder Weg 54 E, 38108 Braunschweig, Deutschland)
Michel, Benedikt; Klages, Claus-Peter (Institut für Oberflächentechnik (IOT), TU Braunschweig, 38108 Braunschweig, Deutschland)
Inhalt:
Dieser Beitrag beschäftigt sich mit Untersuchungen zum Anstieg der Bondenergie in situ während des Temperns für das Direktbonden bei niedrigen Temperaturen von blanken Silizium-, Borosilikat- und Quarzglas-Wafern. Ziel der Arbeiten ist es, den Einfluss der Aktivierung der Bondoberflächen mittels Atmosphärendruck-Plasmen vor dem Bonden zu untersuchen. Für die Optimierung der Plasmaaktivierung werden die erreichten Bondenergien für verschiedene Prozessgase und Prozessgasgemische verglichen. Weiterhin wird der zeitliche und temperaturabhängige Verlauf der Bondenergiekurven diskutiert und auf physikalische und chemische Vorgänge im Bondinterface geschlossen.