Entwicklung und Integration eines Hochratensputterprozesses für Blei-Zirkonat-Titanat-Dünnschichten
Konferenz: MikroSystemTechnik - KONGRESS 2011
10.10.2011 - 12.10.2011 in Darmstadt, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Kaden, D.; Quenzer, H.-J.; Wagner, B. (Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie ISiT, Fraunhoferstraße 1, 25524 Itzehoe, Deutschland)
Ortner, K.; Jung, T. (Fraunhofer-Institut für Schicht- und Oberflächentechnik, IST, 38108 Braunschweig, Deutschland)
Jakob, A.; Tiefensee, F. (Fraunhofer-Institut für Biomedizinische Technik IBMT, 66386 St. Ingbert, Deutschland)
Inhalt:
Blei-Zirkonat-Titanat (PZT) hat auf Grund seiner gegenüber Aluminiumnitrid und Zinkoxid überlegenden piezoelektrischen Eigenschaften in der Mikrosystemtechnik große Bedeutung erlangt. Dieser Beitrag beschreibt die Synthese von funktionellen piezoelektrischen PZT-Dünnschichten unter Verwendung eines speziellen Sputterverfahrens - dem sogenannten Gasflusssputtern (GFS). Neben anderen Vorteilen zeichnet sich das GFS-Verfahren durch eine sehr hohe Depositionsrate im Vergleich zu anderen PZT-Abscheideverfahren aus. Für die Charakterisierung dieser Schichten wurde eine Reihe von Untersuchungsmethoden angewandt, die sowohl die Materialeigenschaften als auch das piezoelektrische Verhalten beschreiben und das Potential dieser Schichten aufzeigen.