HF-MEMS Schalter mit ohmschen Kontakt und lateraler Bewegungsrichtung
Konferenz: MikroSystemTechnik - KONGRESS 2011
10.10.2011 - 12.10.2011 in Darmstadt, Deutschland
Tagungsband: MikroSystemTechnik
Seiten: 4Sprache: DeutschTyp: PDF
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Autoren:
Leidich, Stefan; Kurth, Steffen; Frömel, Jörg; Gessner, Thomas (Fraunhofer Institut für Elektronische Nanosysteme ENAS, Chemnitz, Deutschland)
Nowack, Markus; Bertz, Andreas; Kaufmann, Christian (Technische Universität Chemnitz, Zentrum für Mikrotechnologien, Chemnitz, Deutschland)
Akiba, Akira; Ikeda, Koichi (Sony Corporation, Tokyo, Japan)
Inhalt:
Dieser Beitrag beschreibt zwei HF-MEMS Schalter für die Frequenzbereiche DC-4 GHz und DC-80 GHz. Die ohmschen Kontakte werden durch eine lateral orientierte Bewegung der MEMS-Struktur geschaltet. Auf diese Weise ist eine räumliche und funktionale Trennung der Mechanik- und HF-Strukturelemente möglich. Mit Hilfe einer speziellen Technik zur Reduzierung der Elektrodenabstände von 4,5 µm auf 1,2 µm erzeugt die Mechanik mit nur 5 V Aktuierungsspannung eine Kraft von mehr ca. 250 myN. Die gemessene Schaltzeit beträgt 10,3 mys. Der DC-4 GHz Schalter weist bei 3,0 GHz eine gemessene Einfügedämpfung von 0,5 dB und eine Isolation von 35 dB auf. Für den DC-80 GHz Schalter konnten bei 60 GHz Werte von 1,2 dB bzw. 18 dB ermittelt werden.