Anforderungen an die Entwurfsmethodik für den Entwurf Integrierter Hochvolt CMOS AS

Inhalt:
CMOS Hochvolt-Technologien erweisen sich gegenwärtig als zunehmend wettbewerbsfähigere Lösungen für den Entwurf von Integrierten Hochvolt-ASICs im Vergleich zu BCD und SOI Technologien. Mit ihnen lassen sich komplexe Systeme aus Hoch- und Niedervoltschaltungsblöcken monolithisch integrieren und ermöglichen komplexe, intelligente und äußerst kompakte Hochvolt-Mikrosysteme. Zusammen mit den hohen Spannungen und daraus ergebenden hohen Feldstärken ergeben sich neue Anforderungen an den Entwurfs- und Verifikationsablauf im Vergleich zum üblichen ASIC-Analogentwurf. In diesem Beitrag sollen, basierend auf den Erfahrungen aus dem Entwurf eines Hochvolt-Boost- Konverters, eines D/A-Wandlers und einer Ladungspumpe, potentielle Probleme benannt sowie notwendige Erweiterungen eines analogen Entwurfsprozesses diskutiert werden.