Degradation der HF-Parameter im GHz-Bereich durch Vergussmassen und Substratmaterialen

Konferenz: ANALOG 2013 - Entwicklung von Analogschaltungen mit CAE-Methoden - Vorträge der 13. ITG/GMM-Fachtagung
04.03.2013 - 06.03.2013 in Aachen, Deutschland

Tagungsband: ANALOG 2013 - Entwicklung von Analogschaltungen mit CAE-Methoden

Seiten: 6Sprache: DeutschTyp: PDF

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Autoren:
Bieske, Björn; Jäger, Andre (IMMS GmbH, 98693 Ilmenau, Germany)

Inhalt:
Die praktisch erreichbaren HF-Eigenschaften einer integrierten HF-Schaltung hängen sehr stark von der Aufbauund Verbindungstechnik ab. Die Substratmaterialien und das IC-Gehäuse (Mold bzw. Glob Top Vergussmassen) können durch ihre dielektrischen Parameter die HF-Performance beeinflussen. Diese Effekte wurden an Oszillatoren und Verstärkern mit unterschiedlich realisierter Aufbau- und Verbindungstechnik näher untersucht. Die auf Platinen erhaltenen Ergebnisse werden mit Referenzmessungen „on wafer“ verglichen, um den Einfluss des Messaufbaus abschätzen zu können. Die Degradation der HF-Performance durch Messumgebung wird für Frequenzen bis 2,5 GHz dargestellt. Keywords — HF-Parameter, Charakterisierung, PCB, HF-Test Substratmaterialien, Vergussmassen, Aufbau- und Verbindungstechnik, on-Wafer Messungen